SEMI：2026年全球晶圓廠前端設施設備支出預計同比增長18%至1300億美元快訊
晶圓廠設備投資的增長將主要由邏輯和微型領域驅(qū)動，存儲領域今年設備支出會小幅提升 2%，雖然 NAND 細分市場的設備支出將在今明兩年連續(xù)錄得 54% 和 47% 的近五成增幅（在 2026 年來到約 150 億美元）。
3 月 27 日消息，半導體行業(yè)協(xié)會 SEMI 美國加州當?shù)貢r間 25 日表示，根據(jù)其最新預測報告，今年全球晶圓廠前端設施設備支出將較 2024 年小幅提升 2%，來到 1100 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 7999.24 億元人民幣），連續(xù)六年錄得正增幅。
而 2026 年這一統(tǒng)計口徑的支出將再同比增長 18%，進一步達到 1300 億美元（現(xiàn)匯率約合 9453.65 億元人民幣）。
晶圓廠設備支出逐年穩(wěn)步提升，是同時受到數(shù)據(jù)中心和邊緣兩端芯片需求走高推動的結(jié)果，AI 的發(fā)展在每個領域都提升了設備所需的硅含量。
SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 表示：
這一預測的資本支出增長表明，在 2025 年和 2026 年期間迫切需要加強勞動力開發(fā)計劃，為這兩年內(nèi)預計投產(chǎn)的約 50 座新晶圓廠提供所需的熟練工人。
從細分類別來看，晶圓廠設備投資的增長將主要由邏輯和微型領域驅(qū)動，這主要是由于新一代 2nm 級節(jié)點將陸續(xù)投產(chǎn)。邏輯和微型領域 2025 年的設備投資規(guī)模可達 520 億美元，同比增長 11%；2026 年再增長 14%，達到 590 億美元。
存儲領域的設備投資則將明顯呈現(xiàn)折線上升的態(tài)勢：雖然 NAND 細分市場的設備支出將在今明兩年連續(xù)錄得 54% 和 47% 的近五成增幅（在 2026 年來到約 150 億美元）；但占比更大的 DRAM 設備投資將在今年出現(xiàn) 6% 下滑，而在 2026 年則會出現(xiàn) 19% 的反彈，至 250 億美元。
總的來看，存儲領域今年設備支出會小幅提升 2%，2026 年的支出增幅則會有 27%。（溯波）
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