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僅半年時間，內(nèi)存條價格幾乎翻了一倍。這段時間，記者在線上及線下商城發(fā)現(xiàn)，內(nèi)存條價格普遍“水漲船高”。業(yè)內(nèi)人士分析，這股漲價潮可能要持續(xù)到明年年中，或將對國產(chǎn)手機價格產(chǎn)生影響。所以，現(xiàn)在想擴充數(shù)碼產(chǎn)品內(nèi)存的朋友們，可能得等一等了，甚至有網(wǎng)友戲謔——“早知道年初就要囤內(nèi)存條發(fā)家致富!”

年底前還將漲40%

IC Insights報告顯示，過去的12個月，DRAM已經(jīng)從2.45美元漲到5.16美元，漲幅達到驚人的111%，而且，在年底之前，DRAM預期還會出現(xiàn)高達40%的增長。

DRAM為半導體存儲器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要應用市場包括PC、智能手機、企業(yè)服務器等。當前，放眼整個存儲市場，各大品牌內(nèi)存價格無一不在瘋漲。

在京東商城，影馳GAMER DDR4-2400 8G內(nèi)存條從今年4月份的389元上漲到如今的629元，漲幅超六成;GAMERⅢ極光RGB內(nèi)存在5天時間內(nèi)漲了100元;金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右。

　產(chǎn)線迭代，產(chǎn)能不足

目前，DRAM內(nèi)存市場呈現(xiàn)以三星電子、美光科技、SK海力士三大巨頭競爭的寡頭壟斷形態(tài)，數(shù)據(jù)顯示，當下三大廠DRAM市場份額總和約占全球市場94%。

當下，半導體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術迭代升級，即2DNANDFlash(二維閃存)轉移至3DNANDFlash(三維閃存)，三大廠紛紛進入閃存迭代升級的產(chǎn)線建設，而對于DRAM的開發(fā)和資本投入方面相對保守。

業(yè)內(nèi)人士指出，由于供給廠商太少，三大廠商有極強的議價權。當前，除了PC，智能手機、企業(yè)服務器的迅猛發(fā)展對內(nèi)存的需求愈來愈大，DRAM產(chǎn)能跟不上，預計到2018年，隨著3DNANDFlash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲器供應緊張局面才有望緩解。

　國產(chǎn)手機或普遍漲價

金立集團董事長劉立榮在9月底公開對外表示，國產(chǎn)手機下半年仍會漲價，部分原因是內(nèi)存成本上升。

內(nèi)存作為智能手機核心硬件之一，一直以來依賴進口。有證券分析師表示，這一輪內(nèi)存漲價大幅增加了國產(chǎn)智能手機的成本，特別是存儲器成本占比相對較高的中低端智能手機，侵蝕了競爭激烈、利潤微薄的智能手機產(chǎn)業(yè)。

據(jù)悉，隨著當下內(nèi)存產(chǎn)能已經(jīng)跟不上需求，從手機市場行情來看，漲價趨勢明顯。目前智能手機內(nèi)存容量為2G-8G，同一個廠家推出的同一款智能手機僅僅因為存儲器容量的不同，價格可能相差數(shù)百元到一兩千元。當下，目前部分智能手機已經(jīng)漲價，幅度在100-500元不等。

來源: 南方日報  作者：姚翀